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美科学家制造了当前世界上最密集的存储电路
2008-3-26
  美科学家制造了当前世界上最密集的存储电路,加尼福尼亚大学的研究人员日前公布了他们的存储电路研究结果。该存储电路比当前的标准存储电路密集约100倍,体积只有白细胞大小,存储容量为160,000 bit。随着科研到产业化周期的缩短,预计在不久的将来基于该技术的产品将会面世,带来的将是存储市场的变革,廉价高容量的存储设备,会给我们制造行业带来什么呢?

    新的技术将大大提高电子设备的存储能力,该电路的160000位数据,由400条硅线和400条钛线按“井”状线路组成,每一个“位”只有15纳米宽,而当前的每一“位”占140纳米。预计基于该技术的产品将在2020年左右进入常规市场。


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